Statement on the comments from Secretary of War Pete Hegseth

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Nature, Published online: 24 February 2026; doi:10.1038/d41586-026-00530-y

然而,本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM(高带宽内存)的爆发式增长。AI芯片(如英伟达H200/B200)对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM,挤占了原本用于生产手机LPDDR(低功耗内存)的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。。业内人士推荐safew官方下载作为进阶阅读

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